量子阱数量变化对双波长LED作用的研究.pdfVIP

物理学报ActaPhys．Sin．Vol．60，No．7(2011)078504

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量子阱数量变化对双波长LED作用的研究

张运炎范广涵

(，510631)

华南师范大学光电子材料与技术研究所广州

(2010618;20101028)

年月日收到年月日收到修改稿

InGaN/GaN、、

采用软件理论分析的方法分析了量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱内量子效率电

、．，，

子空穴浓度分布溢出电流等产生的影响分析结果表明量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象所以

、，，

量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率内量子效率和发光强度还会引起开启电压升高的现象影响

．，．

能量转化效率此外不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化

:，，，

关键词量子阱数量数值模拟双波长发光二极管

PACS:85.60.Jb，85.50.－n，87.15.A－，78.60.Fi

，．

其独特的优点吸引着众人的目光它能量转化效

，，

1.引言率高使用寿命长还可以减少生产成本特别是芯

．，

片制造成本和封装成本同时它的体积较小有利

，(MOCVD)，．

近年来随着以金属有机气相沉积于提高集成度驱动电路也相对简单调整芯片光

(LED)，

为主的材料生长技术和发光二极管器件制谱可以让它发出的各种波长的光直接组合成白

，LED．LEDLED

备技术的不断进步的研究应用得到了快速发光因而多波长芯片是制作白光的一