ITO银浆走线的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102221936A

(43)申请公布日2011.10.19

(21)申请号CN201110202545.7

(22)申请日2011.07.19

(71)申请人信利半导体有限公司

地址516600广东省汕尾市城区工业大道信利电子工业城

(72)发明人蔡汉业吕一帆

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人逯长明

(51)Int.CI

G06F3/041

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

ITO银浆走线的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种ITO银浆走线的

制作方法，主要包括：首先，丝印银浆，

在TIO上构成整片银浆；然后再固化所述

丝印后的整片银浆；最后，对所述固化后

的整片银浆执行激光干刻，获取预设宽度

的银浆走线。通过上述本发明公开的制作

方法，在使用丝印构成整片的银浆后，再

使用激光干刻制作出预设宽度的银浆走

线，通过获取较细的银浆走线构成位于触

摸屏屏幕边框处的电路走线，能够满足触

摸屏对于窄化边框的要求，减小触摸屏边

框的宽度或厚度。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种ITO银浆走线的制作方法,其特征在于,包括:

丝印银浆,在TIO上构成整片银浆;

固化所述丝印后的整片银浆;

对所述固化后的整片银浆执行激光干刻,获取银浆走线。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述执行激光干刻,获取预设宽度的银浆

走线的具体过程包括:

依据预设的银浆走线图示,利用激光干刻的高温气化多余的银浆;

获取对应所述银浆走线图示中银浆走线。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述银浆走线的宽度的范围包括:30

微米~50微米。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,各个所述银浆走线之间的间距的范围包

括:30微米~50微米。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述银浆走线的宽度为40微米;所述

银浆走线的间距为30微米。

说明书

p技术领域

本发明涉及触摸屏制造领域,更具体的说,是涉及一种ITO(铟锡氧化物半导体)银浆

走线的制作方法。

背景技术

目前,在传统的触摸屏的设计过程中,触摸屏的下方一般都设置有一层透明特殊金属

导电物质,该金属导电物质用于侦测用户手指或触点触摸时的电容变化。该透明特

殊金属导电物质的材料主要为ITO(铟锡氧化物半导体)导电膜。

在触摸屏的设计过程中,该ITO导电膜与收集信号并进行处理的电路相连,而该电路

所占的空间与触摸屏屏幕的边框宽度具有直接关系,即其是构成限制触摸屏屏幕边

框的主要因素。因此,在当前要求触摸屏窄边化设计,即要求边框的设计越小越好的

前提下,需要制作更细的电路走线。

但是,在现有技术中,对于与ITO导电膜连接的电路走线一般采用丝印技术进行。针

对触摸屏的ITO丝印走线的工艺流程仅为:先进行产品进行丝印银浆走线,然后再对

丝印的银浆走线进行固化,从而构成与ITO导电膜相连的电路。通过现有技术的方

法,其所能达到的银浆走线的宽度一般为50um(微米),不能满足触摸屏窄边化设计的

要求,无法降低触摸屏的边框厚度或宽度,以及摆脱宽边框的束缚,影响触摸屏的外观。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种ITO银浆走线的制作方法,以克服现有技术中所采用的

丝印走线方式无法降低银浆走线的宽度,造成无法窄化或降低触摸屏边框厚度的问

题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种ITO银浆走线的制作方法,包括:

丝印银浆,在TIO上构成整片银浆;

固化所述丝印后的整片银浆;

对所述固