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2025年黑龙江省黑河市单招（计算机）测试题库

第一部分单选题(30题)

1、在Word2003中，要将整个文档中的某个英文单词全部改为大写字母拼写，其他英文单词保持不变，最高效的操作是__________。

A．执行“编辑”菜单的“替换”命令，在其对话框中进行相应设置

B．执行“格式”菜单的“字体”命令，在其对话框中进行相应设置

C．执行“格式”菜单的“更改字体大小写”命令，在其对话框中进行相应设置

D．执行“工具”菜单的“选项”命令，在“拼写和语法”选项卡中进行相应的设置

【答案】：A

【解析】本题可根据各选项所涉及命令的功能，逐一分析能否实现将整个文档中的某个英文单词全部改为大写字母拼写，其他英文单词保持不变的操作。-**选项A**：执行“编辑”菜单的“替换”命令，在其对话框中可设置查找内容为指定的英文单词，替换为该英文单词的大写形式。通过这种方式，能够精准地将文档中所有指定的英文单词替换为大写，而不影响其他英文单词，是实现该操作最高效的方法。-**选项B**：执行“格式”菜单的“字体”命令，主要用于设置文字的字体、字号、颜色等格式，无法针对特定的某个英文单词进行大小写替换操作，不能实现题目要求，所以该选项错误。-**选项C**：执行“格式”菜单的“更改字体大小写”命令，它是对所选文本整体进行大小写转换，不能只针对文档中的某个特定英文单词进行转换，会影响其他英文单词，不符合题目要求，所以该选项错误。-**选项D**：执行“工具”菜单的“选项”命令，在“拼写和语法”选项卡中主要用于设置拼写检查、语法检查等相关功能，与将特定英文单词改为大写无关，不能实现题目要求，所以该选项错误。综上，答案是A。

2、下面列出的四种半导体存储器中，属于非易失性存储器的是________

A.SRAMB.DRAMC.CacheD.FlashROM

【答案】：D

【解析】本题主要考查对不同类型半导体存储器是否为非易失性存储器的判断。选项A：SRAM（静态随机存取存储器）SRAM是一种易失性存储器。它依靠触发器来存储数据，只要电源持续供电，数据就能保持存储状态，但一旦电源中断，存储的数据就会丢失。所以SRAM不属于非易失性存储器。选项B：DRAM（动态随机存取存储器）DRAM同样是易失性存储器。它以电容来存储数据，由于电容会逐渐漏电，需要周期性地进行刷新操作来维持数据。当电源断开时，电容中的电荷会迅速消失，数据也就丢失了。因此，DRAM也不是非易失性存储器。选项C：Cache（高速缓冲存储器）Cache通常由SRAM构成，其目的是为了减少CPU访问内存的等待时间，提高系统的运行速度。由于它基于SRAM技术，所以也是易失性存储器，在失去电源供应时数据会丢失。所以Cache不符合非易失性存储器的定义。选项D：FlashROM（闪存只读存储器）FlashROM是一种非易失性存储器，它可以在没有电源的情况下长期保存数据。它常用于各种存储设备，如U盘、固态硬盘等。即使设备断电，FlashROM中存储的数据也不会丢失，直到被新的数据覆盖或者擦除。所以FlashROM属于非易失性存储器。综上，答案选D。

3、在Windows操作系统中，当需要在已打开的多个应用程序间切换是，可以使用的快捷键为_______。

A．Shift+TabB．Alt+TabC．Ctrl+EscD．Ctrl+Shift

【答案】：B

【解析】本题可根据各快捷键的功能来判断在已打开的多个应用程序间切换应使用的快捷键。-**选项A：Shift+Tab**在Windows操作系统中，Shift+Tab组合键通常用于在对话框或表单中按相反顺序切换焦点控件，而不是在已打开的多个应用程序间切换，所以该选项**错误**。-**选项B：Alt+Tab**在Windows系统里，按下Alt键不松开，再按Tab键，会弹出一个切换窗口，显示当前所有已打开的应用程序图标。每按一次Tab键，就会在这些图标之间循环切换，松开按键后，当前选中的应用程序就会被激活并显示在前台。因此，Alt+Tab是用于在已打开的多个应用程序间切换的快捷键，该选项**正确**。-**选项C：Ctrl+Esc**Ctrl+Esc组合键的作用是直接打开“开始”菜单，与在已打开的多个应用程序间切换无关，所以该选项**错误**。-**选项D：Ctrl+Shift**在Windows系统中，Ctrl+Shift组合键一般用于切换输入法，而不是用于在多个应用程序之间进行切换，所以该选项**错误**。综上，答案选B。

4、下列关于图像和图形的叙述，正确的是。

A、大尺寸图片扫描输入后，其数据量必