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《微电子概论(第3版)
IntroductiontoMicroelectronics
》
SecondEdition
1.1.1微电子技术与半导体集成电路
1.1微电子技术和集成电路的发展历程
目录
1.1.2发展历程
1.1.3发展特点和技术经济规律
微电子技术是利用微细加工技术,基于固体物理、半导体物理与器件物理,以及电子学理论和方法,在半导体材料上实现微小型固体电子器件和集成电路的一门技术。
核心是半导体集成电路及其相关技术。
集成电路包括半导体集成电路和混合集成电路两类:
半导体集成电路是用半导体工艺技术,在同一半导体
材料上完成电路元件和器件制造,形成电路和系统。
混合集成电路是将不同的半导体集成电路和分立电子元器件通过混合集成电路工艺和加工方法,固化到同一基板上,形成电路和系统。
本书主要介绍:半导体集成电路的理论基础、制造工艺、元件和器件结构与原理、设计方法等相关知识和技术
1947年12月23日,美国Bell实验室,由W.Shockley、J.Bardeen和W.Brattain发明了世界上第一只晶体三极管
1958年,美国得克萨斯仪器公司(TI)公司的J.S.Kilby宣布研制出了第一块IC(包含12个元件的混合集成电路)
微电子技术和集成电路发展的主要里程碑
年份
技术进展
领先企业
1947.12
第一个触晶体管
BellLab.
1956
W-Shockley、J.Bardeen和W.Brattain获诺贝尔物理学奖
中国第一只晶体管
BellLab.
1958
第一块集成电路
第一个MOSFET工艺集成电路
TI
FairChild.
1965
摩尔提出“摩尔定律”
Intel
1971
第一块微处理器(Intel4004)
Intel
1972
Intel8008微处理器(8位μP)
数字信号处理器(DSP:DigitalSignalProcessor)
Intel
Westinghouse
1985
1MbDRAM
商用的Flash存储器问世(256Kbit)
Intel80386
IBMM/ATT
Toshiba
Intel
2001
IntelNetBurstPentium4(1.7GHz主频)
Intel
微电子技术和集成电路发展的主要里程碑
年份
技术进展
领先企业
2002
12英寸晶圆,90nm工艺
Intel
2007
45nm工艺,铪高-k栅介质和金属栅晶体管
Ietel
2011
22纳米FinFET
Intel
2012
第一代3DNAND闪存芯片,32层SLCV-NANDSSD;
三星
2015
14nmFinFET
Intel
2018
7nm工艺;华为海思7nm麒麟980手机SoC芯片组
TSMC
2019
3nm工艺研发,采用GAA环绕栅极晶体管技术
三星
2020
5nm工艺量产,苹果5nmM1SoC处理器;华为海思5nm移动处理器“麒麟K9000”;
TSMC
①集成度不断提高
②小特征尺寸和大圆片技术不断发展
③高性能和低功耗化
④芯片SoC化
⑤化合物和宽禁带半导体创新发展
⑥多学科融合
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