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GaN纳米线：形貌、桥接与气敏特性的深度探索

一、引言

1.1GaN纳米线研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，成为了研究与应用的焦点。作为第三代半导体材料的杰出代表，GaN具备宽禁带、高电子迁移率、高热导率以及强化学稳定性等显著优势，使其在高频、高功率、高温以及恶劣环境下的电子器件应用中展现出巨大潜力。

纳米线作为一种具有独特一维纳米结构的材料，呈现出诸多与体材料截然不同的物理性质。其大比表面积、量子限域效应和优异的电学、光学性能，使其在传感器、光电器件、能源存储与转换等领域展现出广阔的应用前景。而GaN纳米线，更是将GaN材料的特性与纳