GBT-集成电路用高纯硅靶材.doc

YS/T287—××××

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ICS××.××.××

CCS××

发布国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会××××-××-××实施××××

发布

国家市场监督管理总局

国家标准化管理委员会

××××-××-××实施

××××-××-××发布

集成电路用高纯硅靶材

HighpuritySitargetforintegratedcircuit

（讨论稿）

GB/TXXXX—XXXX

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX-XXXX

GB/TXXXXX-XXXX

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前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第一部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司等

本文件主要起草人：

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集成电路用高纯硅靶材

1范围

本文件规定了高纯硅靶材的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。

本文件适用于集成电路用的高纯硅靶材。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1031产品几何技术规范（GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T8651金属板材超声板波探伤方法

GB/T13389掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T24582酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

GB/T39159集成电路用高纯铜合金靶材

YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

3术语和定义

3.1

靶材target

在溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在衬底表面沉积。

3.2

靶坯targetblank

阴极上用作溅射材料的部分。

3.3

背板backingplate

用来支撑或固定靶材的材料。靶坯与背板可以通过焊接（如钎焊、扩散焊等）、机械复合、粘接等方式连接。

4分类

4.1产品按外形分为圆形和方形，或由需方提供图纸。

4.2产品按晶体类型分为单晶硅和多晶硅。

4.3产品按导电类型分为P型（掺B元素）和N型（掺P元素）。

靶坯4.4靶材形状为复合型，如图1所示。

靶坯

焊接层(焊料)

焊接层

(焊料)

背板

背板

图1靶材结构示意图

5技术要求

5.1化学成分

5.1.1硅靶材除掺杂元素纯度含量应≥99.9999%。

5.1.2化学成分要求应符合表1和表2的规定。

表1单晶硅化学成分

单晶硅含量a（质量分数）/%

≥99.9999

掺杂元素

B（P型）

25-155

P（N型）

25-275

杂质元素含量

（质量分数）/×10-4%，不大于

Ag

≤0.3

As

≤0.2

Na

＜0.01

K

＜0.05

Rb

＜0.01

Cs

＜0.001

Ca

＜0.05

Sr

＜0.01

Ba

＜0.01

Sc

＜0.001

Ti

＜0.005

Cr

＜0.01

Fe

＜0.01

Co

＜0.005

Ni

＜0.01

Cu

＜0.01

Zn

＜0.05

Sb

≤0.02

Th

≤0.005

Mg

＜0.01

Al

＜0.015

Mn

＜0.01

Ga

＜0.07

Mo

＜0.015

W

＜0.07

Pb

＜0.015

注：需方对元素有特殊要求的，由供需双方协商，并在订货单中注明。

a单晶硅含量为100%减去金属杂质实测总和的余量。

表2多晶硅化学成分

多晶硅含量a（质量分数）/%

≥99.9999

掺杂元素

B（P型）

15-155

P（N型）

15-275

杂质元素含量

（质量分数）/×10-4%，不大于

Ag

≤0.3

As

≤0.2

Na

＜0.01

K

＜0.05

Rb

＜0.01

Cs

＜0.001

Ca

＜0.05

Sr

＜0.01

Ba

＜0.01

Sc

＜0.001

Ti

＜0.005

Cr

＜0.01

Fe

＜0.01

Co

＜0.005

Ni

＜0.01

Cu

＜0.01

Zn

＜0.05

Sb

≤0