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自旋电子学是近些年来在半导体电子学和磁电子学根底上进展起来的一门兴穿插学科。丰富的物理内涵、明确的应用目标以及宽阔的市场前景,自旋电子学已成为当今分散态物理和材料科学领域最为关注的方向之一。其中,巨磁电阻的觉察及在自旋器件上的应用是最有重大影响力的成果。非易失性存储器和高密度磁存储器的诞生,不仅给根底争论注入了活力,更为市场带来了巨大的经济效益。巨磁电阻争论的关键在于如何获得更为有用的低场室温磁电阻效应。具有高自
旋极化率的半金属材料,如掺杂锰氧化物,CrO,FeO 等成为争论者
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的首选。无论是提高半金属材料的内禀磁电阻,还是外禀磁电阻,都有着极大的争论和应用潜力。争论说明
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