2025光刻机行业发展历程市场格局及国内供应链厂商梳理分析报告_3.pdfVIP

2025年深度行业分析研究报告

内容目录

1、光刻工艺：芯片制造技术难度最大环节5

2、光刻机部件：光源、照明系统、投影物镜为核心组件12

3、光刻机市场：ASML、Nikon、佳能垄断25

3.1光刻机发展历程：步进扫描投影式光刻机为当前主流机型25

3.2千亿级市场，海外三强垄断28

4、国内供应链厂商梳理33

4.1上海微电子：国内光刻机整机制造厂商33

4.2国科精密：专注高端曝光光学系统制造33

4.3科益虹源：DUV光源制造商34

4.4华卓精科：双工作台制造商35

4.5福晶科技：全球头部LBO晶体、BBO晶体供应商36

4.6茂莱光学：先进光学镜头供应商37

4.7福光股份：光学元件供应商38

4.8汇成真空：国内镀膜设备供应商39

4.9腾景科技：深耕精密光学与光通信40

4.10炬光科技：聚焦光子技术全链布局41

4.11永新光学：全球领先光学显微镜厂商42

4.12波长光电：国内精密光学元件、组件的主要供应商43

4.13菲利华：深耕石英玻璃赛道44

图表目录

图表1：半导体制造八大步骤5

图表2：光刻示意图5

图表3：光刻工艺基本步骤6

图表4：瑞利准则对分辨率定义7

图表5：光线通过透镜系统聚焦成像示意图，n为介质折射率，θ为镜头的聚光角度7

图表6：光刻光源世代演变8

图表7：投影物镜NA发展路径8

图表8：物镜的焦距越短则孔径角越宽，从而获得更高的NA和分辨率9

图表9：OPC处理前后的图形及其曝光结果10

图表10：二元掩模版VS相移掩模版10

图表11：光源掩模协同优化的计算结果10

图表12：套刻误差原因10

图表13：ASMLDUV产品矩阵11

图表14：ASMLDUV产品战略11

图表15：ASMLNXT：2100i与2150i产品情况11

图表16：光刻机整体结构图12

图表17：EUV光源功率发展13

图表18：击打锡液过程13

图表19：Cymer准分子激光器工作原理图13

图表20：投影式光刻机的光学原理示意图14

图表21：28nm节点扫描光刻机照明系统中继镜组结构图14

图表22：色差示意图15

图表23：球差示意图15

图表24：彗差示意图15

图表25：场曲示意图15

图表26：畸变示意图15

图表27：像差示意图15

图表28：全球面物镜VS含非球面物镜16

图表29：折反式物镜结构16

图表30：传统反射式光路图（早期EUV原理装置，主镜和次镜两反射镜）16

图表31：六镜系统光路图（NA为0.5，所有反射镜都是离轴非球面元件）16

图表32：ASML公司的双工件台工作流程17

图表33：步进扫描投影光刻机工件台结构示意图17

图表34：曝光区域套刻误差示意图17

图表35：工件台位置测量原理示意图（干涉仪VS光栅尺）18

图表36：双频激光干涉仪原理图18

图表37：基于外差干涉的光栅测量原理19

图表38：ASML光刻机的平面光栅测量方案20

图表39：Nikon光刻机混合测量方案20

图表40：光刻机的对准系统示意图20

图表41：使用对准标记来对齐后续图层21

图表42：掩模版与掩模台预对准22

图表43：晶圆与晶圆工件台预对准22

图表44：阿斯麦、尼康、佳能的对准技术演进路线22

图表45：ATHENA离轴对准技术原理示意图23

图表46：SMASH原理示意图23

图表47：接近/接触式投影光刻机结构示意图26

图表48：扫描投影光刻机示意图27

图表49：光刻机曝光方式的演变27

图表50：步进重复式投影光刻机曝光示意图27

图表51：步进重复式投影光刻机的发展（1978年～1993年）27

图表52：步进扫描路径示意图28

图表53：步进扫描曝光原理示意图28