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抗辐射VDMOS器件：关键技术、设计创新与应用拓展研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，航天、核能等高技术领域取得了显著的进步，对电子器件的性能和可靠性提出了前所未有的要求。作为关键的功率器件之一，垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管（VerticalDouble-DiffusedMOSFET，VDMOS）在这些领域中发挥着不可或缺的作用。然而，这些特殊应用环境中存在的强辐射环境，给VDMOS器件的正常工作带来了严峻挑战。

在航天领域，随着人类对宇宙探索的不断深入，航天器需要在复杂的空间辐射环境中长时间运行。宇宙射线中包含高能质子、电子、重